如何避开劣质电缆的坑？

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图1.a）MoO3纳米线SEM图，劣质b）MoO3纳米线TEM图，劣质c-f）折叠时MoO3自支撑薄膜的光学照片，g）合成的Ag量子点的TEM图，h）AgQDs/MoO3纳米线的TEM图，i）AgQDs/MoO3膜的SEM图，j-l）对应的EDS分布图，m）MoO3纳米线，MoO3膜和AgQDs/MoO3膜的XRD图，n）MoO3和AgQDs/MoO3薄膜的拉曼光谱和O）XPS光谱。本文主要介绍了通过Ag量子点修饰纳米结构的过渡金属氧化物电极，电缆的坑来增强其物理参数并构建优异的固态非对称超级电容器。

该混合纳米结构电极表现出优异的赝电容性能，避开具有高的面积比电容，优异的倍率性能和循环稳定性。图5.MnO2和AgQDs/MnO2薄膜电极在1MNa2SO4水溶液中的电化学行为a）CV曲线，劣质扫描速率为20mVs-1，劣质b）不同扫描速率下AgQDs/MnO2电极的CV曲线，c）电流密度为0.5mAcm-2时的GCD曲线，d）面积比电容与电流密度关系图，e）电化学阻抗谱，插图显示用于拟合的电等效电路和高频到中频的局部放大奈阻抗谱，f）循环性能，插图显示最后五次充放电循环曲线。相关论文以Silver-Quantum-Dot-ModifiedMoO3andMnO2Paper-LikeFreestandingFilmsforFlexibleSolid-StateAsymmetricSupercapacitors为题发表在Small上【图文简介】AgQDs/MoO3和AgQDs/MnO2薄膜的制备：电缆的坑MoO3纳米线、电缆的坑MnO2纳米线和Ag量子点均采用水热法合成。

此外，避开构建了基于AgQDs/MnO2阴极，避开AgQDs/MoO3阳极和Na2SO4/PVA凝胶电解质的固态非对称超级电容器，该器件具有高能量密度、功率密度和良好的柔性，在高度安全的中性水系电解液中具有高达2V的稳定的工作电压窗口，装置的整体电化学性能优于文献报道的一些非对称超级电容器。图6.固态非对称超级电容器在Na2SO4/PVA凝胶电解质中的电化学行为a）不同扫描速率下的CV曲线，劣质b）各种电流密度下的GCD曲线，劣质c）面积比电容与扫描速率和电流密度的关系图，d）电化学阻抗谱，e）循环性能和f）Ragone图。

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